半導(dǎo)體分立器件包括哪些類別？

半導(dǎo)體分立器件包括哪些類別？

半導(dǎo)體分立器件主要包括半導(dǎo)體二極管、三極管、三極管陣列、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、光電耦合器、可控硅等各種兩端和三端器件。

國(guó)軍標(biāo)為什么要規(guī)定采用脈沖測(cè)試方法？

在分立器件中有一些參數(shù)的測(cè)試時(shí)需要向被測(cè)器件施加較大的電流和功率，例如二極管的正向壓降VF，三極管的飽和壓降VCES、VBES，放大倍數(shù)HFE等，這些參數(shù)的測(cè)試（特別是功率器件）由于功率的施加，將導(dǎo)致器件的附加溫升，進(jìn)而造成器件參數(shù)的變化和漂移。為避免這一問(wèn)題的發(fā)生，美軍標(biāo)和國(guó)軍標(biāo)都規(guī)定了脈沖測(cè)試的方法和規(guī)范。規(guī)定采用小占空比（2%）和窄脈沖（300uS）完成相關(guān)參數(shù)的測(cè)試。采用脈沖測(cè)試法可以真實(shí)反映器件在不同環(huán)境溫度下的特性，特別是對(duì)使用環(huán)境較為惡劣的軍用器件，更需采用脈沖法測(cè)試。因此國(guó)外的半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)幾乎都采用脈沖法進(jìn)行測(cè)試。